Samsung Electronics, verdens førende inden for avanceret hukommelsesteknologi, har annonceret masseproduktion af 250 GB SATA SSD’er baseret på den sjette generation af 256-Gigabit V-NAND-moduler med mere end 100 lag af 3-bit celler, som skal sendes til globale pc-producenter. Samsung brugte kun 13 måneder på at udvikle den nye generation af V-NAND, hvilket reducerede produktionscyklussen med fire måneder og samtidig leverede de hurtigste, mest energieffektive og letteste moduler at producere.
Samsungs sjette generation af V-NAND-moduler kan prale af branchens hurtigste dataoverførselshastigheder, hvilket viser virksomhedens produktionsstyrke, som har bragt 3D-hukommelse op på et nyt niveau. Takket være Samsungs unikke “channel etching”-teknologi har de nye V-NAND-krystaller ca. 40 % flere celler end den tidligere generation af 9x-hukommelsesmoduler med enkeltblokke. Dette opnås ved at danne en elektrisk ledende 136-lags struktur, efterfulgt af vertikal piercing af cylindriske huller fra top til bund, hvilket resulterer i homogene 3D-celler med CTF-teknologi Charge Trap Flash .
Efterhånden som højden af matricen øges i hver celle, bliver NAND-flashchips mere udsat for fejl og læseforsinkelser. For at overvinde denne begrænsning har Samsung introduceret et hastighedsoptimeret kredsløbsdesign, der opnår maksimale overførselshastigheder på mindre end 450 mikrosekunder µs for skriveoperationer og mindre end 45 µs for læseoperationer. Sammenlignet med den tidligere generation giver det nye design en stigning i ydeevnen på mere end 10 % og en reduktion i strømforbruget på mere end 15 %.
Næste generation af V-NAND-løsninger vil få mere end 300 lag takket være et optimeret design, der kombinerer tre sjettegenerationsceller uden at gå på kompromis med chipens ydeevne eller pålidelighed. Desuden kræver den nye generation af 256 GB-chippen kun 670 millioner bølgelængder sammenlignet med 930 millioner i den tidligere generation. Det har reduceret størrelsen af chips og reduceret antallet af produktionstrin, hvilket har øget produktionseffektiviteten med 20 %.
Ved hjælp af højhastighedsfunktioner med lavt strømforbrug har Samsung ikke kun til hensigt at udvide brugen af sine 3D V-NAND-løsninger til enheder som mobile gadgets og virksomhedsservere, men også at introducere dem på bilmarkedet, hvor høj pålidelighed er afgørende.
“Ved at inkorporere avanceret 3D-hukommelsesteknologi i masseproduktionsmodeller er vi i stand til at introducere hukommelseslinjer med betydeligt højere hastighed og strømforbrug”, siger Kye Hyun Kyung, vicepræsident for flash-hukommelse og teknologi hos Samsung Electronics. – Ved at forkorte udviklingscyklussen for næste generation af V-NAND-produkter planlægger vi at udvide markedet for vores højhastigheds- og højtydende 512 Gigabit V-NAND-løsninger aggressivt.
Efter lanceringen af 250 GB SSD’en planlægger Samsung at introducere 512 gigabit V-NAND triple V-NAND SSD’er med 512 gigabit og eUFS i anden halvdel af året. Virksomheden har også til hensigt at udvide produktionen af højtydende, højhastigheds V-NANDs af sjette generation på sin Pyongtaek-fabrik i Korea fra næste år.
Hvad er de primære forbedringer og opgraderinger i den sjette generation af Samsungs V-NAND 3D SSD’er? Er der nogen væsentlige forskelle fra forrige generation? Og hvordan vil disse nyheder påvirke ydeevnen og hastigheden på diskene? Tak for clarifying!
Hvad er forskellen mellem sjette og tidligere generationer af V-NAND 3D SSD’er? Er der markante forbedringer i hastighed eller kapacitet? Og er der nogen nye funktioner, der adskiller dem fra de foregående?