Toshiba Memory introducerer XL-FLASH, hukommelsesløsningen i lagringsklasse

Toshiba Memory Europe TME har i dag annonceret lanceringen af sin nye SCM-løsning Storage Class Memory , XL-FLASH™. Drevet er baseret på Toshibas proprietære og innovative TME-teknologi, 3D BiCS FLASH™ 1-Bit Per Cell SLC flash, og leverer den lave latenstid og høje ydeevne, som kræves af datacentre og datalagringsmiljøer i virksomheder.

XL-FLASH-hukommelse i lagringsklassen, eller ikke-flygtig hukommelse, kan lagre indhold svarende til NAND-flash-hukommelse og bygger bro over ydelsesgabet mellem DRAM- og NAND-hukommelsestyperne. Strømkrævende hukommelse, herunder DRAM, giver den adgangshastighed, der er nødvendig for krævende applikationer, men denne ydeevne har en høj pris. Når omkostningerne pr. bit DRAM bliver for høje og skalerbarheden kompromitteret, løser SCM-niveauet i lagerhierarkiet dette problem ved at tilbyde en omkostningseffektiv løsning i form af NAND-flashhukommelse med høj tæthed. Analysefirmaet IDC forudser, at SCM-markedet vil vokse til mere end 3 milliarder dollars i 2023[1].

XL-FLASH er en niche mellem DRAM og NAND-flash og tilbyder højere hastighed, lavere latenstid og større lagerkapacitet til en lavere pris end traditionel DRAM. XL-FLASH vil i første omgang være tilgængelig i SSD-format, men kan senere blive implementeret i DRAM-kanaltilsluttede enheder som f.eks. ikke-flygtige dual-row-hukommelsesmoduler NVDIMM’er , som forventes at blive en industristandard i fremtiden.

Vigtige funktioner:

– 128 gigabit GB -krystal modul med 2, 4 eller 8 krystaller ;

– sidestørrelse på 4 KB for at forbedre operativsystemets læse- og skriveeffektivitet;

– 16-sektionsarkitektur for mere effektiv parallel drift;

– Lave læse- og programmeringstider for sider: XL-FLASH-hukommelse har en lav læseventetid på under 5 mikrosekunder, hvilket er ca. 10 gange hurtigere end eksisterende TLC-hukommelse.

Som pioner inden for NAND-flash, den første virksomhed til at introducere 3D-flashteknologi og førende inden for procesændringer er Toshiba Memory bedst placeret til at lancere SCM-enheder baseret på SLC-hukommelse med sin modne produktionsinfrastruktur, dokumenterede skalerbarhed og dokumenterede pålidelighed af SLC-hukommelse.

“XL-FLASH er den højtydende NAND-løsning, der er tilgængelig i dag, takket være vores BiCS FLASH-flashhukommelse, der fungerer i SLC-tilstand”, siger Axel Stoermann, vicepræsident for Toshiba Memory Europe. – Ved kun at placere én bit pr. celle har vi kunnet forbedre ydeevnen betydeligt. Og fordi XL-FLASH-hukommelse er baseret på gennemprøvede teknologier, der allerede er i serieproduktion, vil vores kunder ved at vælge XL-FLASH som hukommelsesløsning i lagringsklassen kunne reducere deres tid til markedsføring.”.

Leveringer af prøveeksemplarer starter i september 2023., og volumenproduktionen er planlagt til at starte i 2023.